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简单操作,高效铝碳化硅产品
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延伸内容
5.氮化镓功率放大管被业界称为三代半导体材料被应用到不同行业的产品上,应用范围包括半导体照明、激光器、射频领域等,应用在电源类产品上可以在超小的体积上实现大功率输出,改变行业设计制造方案、改变消费者使用习惯。要实现从内燃机型的汽车发动机到更环保的汽车的重大转变,必须克服的核心挑战就是非常重要的功率电子技术。购买汽车时消费者需要支付一笔不太情愿的初始投资,这些高昂的费用主要来自电源逆变器和储能元件的成本。其他主要的挑战包括充电一次汽车所能行驶的距离以及充电过程的时间长短。同样,这些问题也源于所使用的功率电子。提高电源的效率水平将有助于使逆变器体积更小,因此也具有更高的性能价格比。这也将使它们变得更轻,从而使车辆能够行驶更远的距离。同时,氮化镓功率放大管(GaN)或碳化硅(SiC)等宽带隙技术的出现提供了可以避免硅器件中固有功率损失的技术途径。GaN和SiC都比硅器件具有更高的电子迁移率和更低的RDS参数,它们还支持高开关速度,并具有更高的击穿电压和更高的导热性能(尤其是SiC)。提高功率转换效率可为热管理带来很多好处。例如,散热问题变得不再那么令人担心,因而使材料清单成本更低,占用空间更少,同时仍然保持高的可靠性。可以不再需要母线排(busbars),因而能够节省空间。这些晶体管还可以垂直地从芯片上得到电流,能够降低电感损耗并实现更高的品质因数(FoM)值。

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