2.2.依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:(1)抛光首先使吸附在抛光布上的镜面抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。镜面抛光液的主要产品可以按主要成分的不同分为以下几大类:金刚石镜面抛光液(多晶金刚石镜面抛光液、单晶金刚石镜面抛光液和纳米金刚石镜面抛光液)、氧化硅镜面抛光液(即CMP镜面抛光液)、氧化铈镜面抛光液、氧化铝镜面抛光液和碳化硅镜面抛光液等几类。氧化硅镜面抛光液(CMP镜面抛光液)是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟,精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后,表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP镜面抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展,聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶镜面抛光液的需求也与日俱增。
产品其他资料:
产品名称:抛光液;
价格:1;
热销区域:大陆;
主营产品行业:五金、设备、工业制品;
企业类型:有限责任公司;
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